2013-03-07 11:15:00 0
电容器阴极材料(即电解质)的性能,在很大程度上决定着电容器的性能。固态电解质具有比液体电解质高得多的电导率(视不同材料,电导率可达0.1~100s/cm),而且具有优异的温度特性和化学稳定性,正是因为固态电解质具有的优良特性,使固态铝电容器的性能优于液态铝电容器。不同固态电解质之间的性能差别很大,从最初使用的二氧化锰到目前使用的pedot,其电导率相差数百倍,因此,不同发展时期的固态铝电容器的性能也差别很大。下面对固态铝电容器的发展历程进行介绍。
1. 二氧化锰型固态铝电容器
二氧化锰作为固态电解质在钽电容器的应用中取得了成功,最初也有人尝试使用二氧化锰作为固态铝电容的电解质,但是al2o3介质氧化膜在高温下易被腐蚀破坏,致使电容器的漏电流增大,因此,用二氧化锰作为铝电容器电解质的技术难度很大,成品率低。
2. tcnq型固态铝电容器
tcnq是美国杜邦的研究人员于1959年首先合成成功;1961年,美国ross公司首先将tcnq复合盐用于制备电容器;1983年,日本三洋电机公司开发了有机半导体tcnq型固态铝电容器,这是真正意义上的第一代固态铝电容器,被称作os-con型铝电解电容器。tcnq的电导率大约为1s/cm,远远高于液态电解质的0.01s/cm,因此,tcnq型固态铝电容器具有比液态铝电容器低得多的esr,具有很好的高频特性,同时,其使用寿命和环境稳定性也大大提高。毫无疑问,os-con电容器较传统液态铝电容器是一大进步。
一系列的研究表明,将tcnq复合盐直接加热熔融,然后浸渍并冷却固化的方法是制备tcnq型固态铝电容器的较好的方法。但是由于tcnq复合盐的热加工性能不太好,只能在一个很狭窄的温度范围内保持熔融稳定状态,并且稳定的时间也很短,因此,tcnq型固态铝电容器的制造工艺(尤其是浸渍工艺)要求非常严格。另外,tcnq的耐焊接热稳定性也不够好,这在一定程度上制约了tcnq型固态铝电容器的进一步发展。
3. 聚吡咯型固态铝电容器
自从导电聚吡咯膜研究成功以来,人们对聚吡咯型固态铝电容器的研究投入了极大的精力。1973年日本的昭和电工申请了聚吡咯型固态铝电容器的基本专利,这种电容器被称为功能性高分子型固态铝电解电容器(sp-cap),是第二代固态铝电容器。sp-cap具有比os-con更低的esr,也具有更好的频率特性,在很宽的温度范围内都可以保持很低的esr,另外,聚吡咯的温度和化学稳定性都高于tcnq,因而,sp-cap与os-con相比又是一大进步。
由于聚吡咯型固态铝电容器一般都采用电化学聚合方法,需要先在氧化铝膜的表面形成一层薄的导电层,但是这种方法一般只能制作叠层式铝电容器,不适合制作卷绕式铝电容器。
4. 聚苯胺型固态铝电容器
导电聚苯胺的研究为固态铝电容器提供了一类新的电解质,聚苯胺具有良好的环境稳定性,原料价格便宜,易于溶解和熔融,在用与制备固态铝电容器上具有一定的优势,但是因为苯胺有环境污染的问题,故限制了其应用。
5. pedot型固态铝电容器
1988年,德国拜尔(bayer)公司首先开发出新一代导电高分子材料pedot(eur. patent 339340(1988)),并同时申请了pedot型固态铝电容器的基础应用专利。
同其他固态电解质相比,pedot具有以下突出性能:
u 电导率高,可以达到100s/cm;
u 在基材表面小于1mm 的薄层内产生作用, 所以可用较低的成本来获得很好的效果;
u 很好的抗水解性、光稳定性及热稳定性,不会造成环境污染;
u 工艺简单, 使用方便;
u 高ph值时导电性能不会下降;
u 电化学性能好。
pedot在铝电容器中的成功应用标志着第三代固态铝电容器的诞生,业界普遍认为pedot型铝固态电容器最具发展前景和应用价值。目前,pedot型固态铝电容器已经得到国际上知名电子制造商的认可,被认为是目前最先进的固态铝电容器,并大批量投入应用。
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